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單晶少子壽命測試儀

更新時間:2024-05-08

產品型號:GZ-LT-2 帶示波器

廠家性質:生產廠家

訪問次數:593

簡要描述:

GZ-LT-2型單晶少子壽命測試儀是參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于測量硅單晶的非平衡少數載流子壽命。半導體材料的少數載流子壽命測量,是半導體的常規(guī)測試項目之一。本儀器靈敏度較高,配備有紅外光源,可測量包括集成電路級硅單晶在內的各種類型硅單晶,以及經熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。

單晶少子壽命測試儀 少子壽命測試儀 型號:GZ-LT-2


GZ-LT-2型單晶少子壽命測試儀是參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于測量硅單晶的非平衡少數載流子壽命。半導體材料的少數載流子壽命測量,是半導體的常規(guī)測試項目之一。本儀器靈敏度較高,配備有紅外光源,可測量包括集成電路級硅單晶在內的各種類型硅單晶,以及經熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。

   本儀器根據國際通用方法高頻光電導衰退法的原理設計,由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器,特制的InGaAsp/InP紅外光源及樣品臺共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機結構緊湊、測量數據可靠。
技 術 指 標 :

 測試單晶電阻率范圍 >2Ω.cm
 可測單晶少子壽命范圍 5μS~7000μS
 配備光源類型 波長:1.09μm;余輝<1 μS;
 閃光頻率為:20~30次/秒;
 閃光頻率為:20~30次/秒;
 高頻振蕩源 用石英諧振器,振蕩頻率:30MHz
 前置放大器 放大倍數約25,頻寬2 Hz-1 MHz
 儀器測量重復誤差 <±20%
 測量方式 采用對標準曲線讀數方式
 儀器消耗功率 <25W
 儀器工作條件 溫度: 10-35℃、 濕度 < 80%、使用電源:AC 220V,50Hz
 可測單晶尺寸 斷面豎測:φ25mm—150mm; L 2mm—500mm;
 縱向臥測:φ25mm—150mm; L 50mm—800mm;
 配用示波器 頻寬0—20MHz;
 電壓靈敏:10mV/cm;


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